Gate Oxide

定义 / Definition

栅氧化层（栅介质）：在MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）中，位于栅极（gate）与半导体沟道之间的一层极薄绝缘材料（传统上多为二氧化硅 SiO₂），用于电隔离并通过电场调控沟道导通。该术语在现代工艺中也常泛指高介电常数材料（high‑k）栅介质。

发音 / Pronunciation (IPA)

/ˈɡeɪt ˈɑːk.saɪd/

例句 / Examples

The gate oxide is very thin.
栅氧化层非常薄。

As the gate oxide degrades, the transistor may show increased leakage current and unreliable switching.
当栅氧化层退化时，晶体管可能出现更大的漏电流并导致开关不可靠。

词源 / Etymology

gate 原指“门、闸门”，在电子学中借用为“栅极”，强调它像“门”一样控制电流通断；oxide 来自“氧化物”，指含氧的化合物。gate oxide 直译即“栅极氧化物（层）”，对应MOS结构中栅极下方的氧化绝缘层。随着工艺发展，即使材料不再是传统“氧化物”，该名称仍沿用为行业惯用术语。

相关词 / Related Words

• Gate
• Oxide
• Dielectric
• Insulator
• MOSFET
• Threshold Voltage
• Leakage Current
• Tunneling
• High-k
• Oxide Breakdown

文学与著作中的用例 / Notable Works

• S. M. Sze & Kwok K. Ng, Physics of Semiconductor Devices（《半导体器件物理》）：讨论MOS结构、栅介质电学特性与可靠性问题时频繁出现“gate oxide”。
• Yuan Taur & Tak H. Ning, Fundamentals of Modern VLSI Devices（《现代VLSI器件基础》）：在MOS器件缩放、栅介质厚度与隧穿泄漏等章节中使用该术语。
• Neil H. E. Weste & David Harris, CMOS VLSI Design（《CMOS VLSI设计》）：在CMOS工艺与器件模型相关内容中出现“gate oxide”并讨论其对性能与功耗的影响。